功率半导体器件是电力电子装置的核心元件，对整个装置的性能有着决定性影响。目前广泛采用的硅功率半导体器件已趋近其理论极限，成为制约电力电子技术进一步发展的瓶颈之一，因此亟需在硅功率半导体器件已有研究上取得新突破。同时，以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带电力电子器件具有开关速度快、损耗低、耐高温、耐高压等特点，其性能远超传统的硅电力电子器件，是构建新一代电力能源系统的基础支撑。但是，目前宽禁带电力电子器件及其封装、集成与应用中尚存在一系列基础科学问题与关键技术难题，导致目前宽禁带电力电子器件性能距离理论水平仍有较大差距。

        为了促进硅与宽禁带功率半导体的相关研究，共享科学技术研究成果，《电工技术学报》编辑部特邀浙江大学盛况教授、国家电网全球能源互联网研究院杨霏（教授级高工）担任特邀主编，湖南大学王俊教授、西安交通大学王来利教授、华中科技大学王智强教授担任特邀副主编。组织“先进功率半导体器件及封装、集成与应用”专题。特向国内外专家、学者征稿，旨在通过学术会议加强交流，推动相关理论研究与技术发展。

1.专题征稿范围（包括但不限于）

（1）硅、宽禁带电力电子器件设计与工艺

（2）硅、宽禁带电力电子器件表征与建模方法

（3）硅、宽禁带电力电子器件高性能封装

（4）器件驱动、保护与其它辅助电路

（5）器件高温运行、高压绝缘技术

（6）高频、高效、高功率密度变换器

（7）可靠性评估与寿命预测

（8）硅、宽禁带变换器电磁干扰建模与抑制

（9）高性能无源元件与磁集成技术

 2. 投稿要求

1）研究性论文。

2）综述性论文，要求有全面的阐述和深刻的评论与见解。

3. 重要日期

1）专题投稿截止时间：2020年10月30日

2）期刊论文预计刊出时间：2021年1-3月

4. 投稿方式：

请登录杂志网站（http://www.ces-transaction.com）注册作者用户名投稿，投稿时请在投稿栏目（类型）中选择“先进功率半导体器件及封装、集成与应用”专题；格式请参考网站“投稿指南”中的论文全文模板或摘要模板。

联系人：

《电工技术学报》编辑部郭丽军   邮箱：glijun@126.com    电话：010-63256949

特邀主编：

盛    况 教授             浙江大学 shengk@zju.edu.cn

杨   霏 教授级高工   国家电网全球能源互联网研究院 yangfei@geiri.sgcc.com.cn

特邀副主编:

王俊教授      湖南大学         junwang@hnu.edu.cn

王来利教授  西安交通大学  llwang@mail.xjtu.edu.cn

王智强 教授 华中科技大学 zhiqiangwang@hust.edu.cn