电工技术学报
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电工技术学报  2018, Vol. 33 Issue (7): 1472-1477    DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.160678
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具有高阈值电压和超低栅漏电的400V常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
赵勇兵1,2, 程哲1, 张韵1, 伊晓燕1, 王国宏1
1.中国科学院半导体研究所北京100083;
2.中国科学院大学北京100049
400V Normally-off Recessed MOS-Gate AlGaN/GaN HEMT with High Threshold Voltage and Ultra-Low Gate-Leakage Current
Zhao Yongbing1,2, Cheng Zhe1, Zhang Yun1, Yi Xiaoyan1, Wang Guohong1
1.Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China;
2.University of Chinese Academy of Sciences Beijing 100049 China

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